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SJ 20012-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 电子行业标准(SJ) SJ20012-1992 本规范规定了CS4型硅N沟道蜡型场效应晶体e(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33-8585《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。级).
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SJ 20013-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 电子行业标准(SJ) SJ20013-1992 本规范规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
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SJ 3253-1989 编写电子行业计量器具检定规程的一般规定 电子行业标准(SJ) SJ3253-1989
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SJ 3262-1989 电子件包封材料通用技术条件 电子行业标准(SJ) SJ3262-1989
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SJ 3267-1989 电真空器件用镀镍铁带 电子行业标准(SJ) SJ3267-1989
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SJ 3249.4-1989 半绝缘砷化镓中EL2浓度的红外吸收测试方法 电子行业标准(SJ) SJ3249.4-1989
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SJ 3251-1989 地面炮瞄雷达天线通用技术条件 电子行业标准(SJ) SJ3251-1989 本标准规定了地面炮瞄雷达天线(以下简称天线)的通用的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存,是大线设计、制造和验收的基本依据。本标准适用于编写产品标准(技术条件)。本标准未包括的内容,如有必要,应在产品标准(技术条件)中明确规定。
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SJ 3248-1989 重掺砷化镓和磷化铟载流子浓度的红外反射测试方法 电子行业标准(SJ) SJ3248-1989
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SJ 3249.1-1989 半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料的电阻率测试方法 电子行业标准(SJ) SJ3249.1-1989
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SJ 3249.3-1989 半绝缘砷化镓中铬浓度的红外吸收测试方法 电子行业标准(SJ) SJ3249.3-1989
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SJ 3244.5-1989 砷化镓和磷化铟材料补偿度的测试方法 电子行业标准(SJ) SJ3244.5-1989
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SJ 3246-1989 铝镓砷(ALxGa1-xAs)材料中铝组分的光荧光测试方法 电子行业标准(SJ) SJ3246-1989
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SJ 3247-1989 同型砷化镓外延层厚度的红外干涉测试方法 电子行业标准(SJ) SJ3247-1989
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SJ 3244.2-1989 砷化镓、磷化铟衬底与异质结外延层之间晶格失配的测量方法 电子行业标准(SJ) SJ3244.2-1989
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SJ 3244.3-1989 砷化镓、磷化铟单晶晶向的测量方法 电子行业标准(SJ) SJ3244.3-1989
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SJ 3244.4-1989 砷化镓和磷化铟材料载流子浓度剖面分布的测试方法-电化学电压电容法 电子行业标准(SJ) SJ3244.4-1989
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SJ 3240-1989 电子级氩中痕量氢与甲烷的测定方法 氩离子化气相色谱法 电子行业标准(SJ) SJ3240-1989
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SJ 3241-1989 砷化镓单晶棒及片 电子行业标准(SJ) SJ3241-1989
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SJ 3242-1989 砷化镓外延片 电子行业标准(SJ) SJ3242-1989
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SJ 3243-1989 磷化铟单晶棒及片 电子行业标准(SJ) SJ3243-1989
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SJ 3236-1989 电子级气体中痕量氧的测定方法 黄磷发光法 电子行业标准(SJ) SJ3236-1989
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SJ 3238-1989 电子级氩中痕量氮的测定方法 氩离子化气相色谱法 电子行业标准(SJ) SJ3238-1989
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SJ 3239-1989 电子级气体气相色谱分析方法的一般规定 电子行业标准(SJ) SJ3239-1989
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SJ 3232.4-1989 低熔焊接玻璃粉结晶化时间的测定方法 电子行业标准(SJ) SJ3232.4-1989
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SJ 3233-1989 真空电子器件电子枪支架玻杆 电子行业标准(SJ) SJ3233-1989
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SJ 3228.10-1989 高纯石英砂中铅的测定 电子行业标准(SJ) SJ3228.10-1989